什么是金屬掩模版？

金屬掩模版又稱光罩：fine metal mask，縮寫：FMM.

光掩模版、掩膜版，英文名稱 MASK 或 PHOTOMASK），材質(zhì)：石英玻璃、金屬鉻和感光膠，該產(chǎn)品是由石英玻璃作為襯底，在其上面鍍上一層金屬鉻和感光膠，成為一種感光材料，把已設(shè)計好的電路圖形通過電子激光設(shè)備曝光在感光膠上,被曝光的區(qū)域會被顯影出來，在金屬鉻上形成電路圖形，成為類似曝光后的底片的光掩模版，然后應用于對集成電路進行投影定位，通過集成電路光刻機對所投影的電路進行光蝕刻，其生產(chǎn)加工工序為：曝光，顯影，去感光膠，最后應用于光蝕刻。

什么是光刻？

光刻（英語：photolithography）是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

首先，通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層僅數(shù)納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯影液，溶解掉被照射的區(qū)域，這樣，光掩模上的圖形就呈現(xiàn)在光刻膠上。通常還將通過烘干措施，改善剩余部分光刻膠的一些性質(zhì)。

上述步驟完成后，就可以對襯底進行選擇性的刻蝕或離子注入過程，未被溶解的光刻膠將保護襯底在這些過程中不被改變。

刻蝕或離子注入完成后，將進行光刻的最后一步，即將光刻膠去除，以方便進行半導體器件制造的其他步驟。通常，半導體器件制造整個過程中，會進行很多次光刻流程。生產(chǎn)復雜集成電路的工藝過程中可能需要進行多達50步光刻，而生產(chǎn)薄膜所需的光刻次數(shù)會少一些。

金屬掩模板的產(chǎn)品圖片：

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鏡頭表面、硅晶圓拋光面、擴散板…等刮傷與粉塵檢查。

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